• Nº Patente: 2346383
• Fecha de prioridad: 24.04.2007
• Resumen: El sistema comprende:
  • Un instrumento portátil y autónomo de medida
  • Una pluralidad de sensores MOSFET de canal P;

Donde en el transistor pMOS la radiación ionizante que incide sobre el transistor causa un incremento de la tensión umbral de dicho transistor. Este incremento es medido y relacionado con la dosis de radiación recibida.