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Diseño de dispositivos emergentes que aporten soluciones frente al escalado (1T-RAM)

Exploración, diseño y demostración de  conceptos de memorias semiconductoras dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) de un solo transistor (1T-DRAM), compatibles con escalados agresivos, usando la tecnología de silicio sobre aislante (SOI), y la tecnología convencional de silicio.

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