Estudio y simulación del transporte electrónico en dispositivos electrónicos CMOS y beyond CMOS
Desarrollo de métodos de transporte semiclásicos (Monte Carlo, single-particle, ensemble, multisubband) incluyendo efectos cuánticos. Algunas propuestas y alternativas a destacar son: uso de sustratos de Silicio sobre aislante (SOI) que permiten la implementación de dispositivos de múltiples puertas (MuGFETs), canales de silicio tenso (sSi) que mejoran las propiedades de transporte de los portadores de carga, el uso de materiales alternativos para el canal tales como Ge y su versión sobre aislante (GeOI) o de compuestos binarios III-V (p.e. GaAs) para aplicaciones de muy alta frecuencia.