SVN-438

Diseño de dispositivos emergentes que aporten soluciones frente al escalado (1T-RAM)

Exploración, diseño y demostración de  conceptos de memorias semiconductoras dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) de un solo transistor (1T-DRAM), compatibles con escalados agresivos, usando la tecnología de silicio sobre aislante (SOI), y la tecnología convencional de silicio.

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966 /cms/places/merengue_content_info/74/966/?lang=es 37.1789454143 -3.60868692348 Diseño de dispositivos emergentes que aporten soluciones frente al escalado (1T-RAM) /media/merengue/img/map/default_map_icon.png 1