Desarrollo de simuladores para dispositivos nanoelectrónicos, basándose en el uso de modelos atomísticos, que tengan en cuenta las fluctuaciones a escala atómica, distorsiones en los enlaces y defectos de la red cristalina. Los métodos empleados suelen ser: Métodos ab-initio, basados en la Teoría del Funcional de la Densidad en la Aproximación Local de la Densidad (DFT-LDA) y métodos basados en la técnica Tight Binding (TB).