Esta línea de investigación dota al grupo de una capacidad experimental sin precedentes, disponiendo del laboratorio de caracterización nanoelectrónica más completos de Europa.

En este laboratorio se pueden caracterizar dispositivos electrónicos, bien en circuitos encapsulados, o directamente sobre oblea de forma semiautomática (obleas de hasta 300mm, máximo estándar industrial actual hasta 300ºC). El equipamiento disponible permite realizar todo tipo de medidas eléctricas sobre ellos (basadas en caracterización de voltaje, corriente, impedancia, parámetros de scattering...), así como generación de formas de onda arbitrarias para la aplicación de patrones de operación o test específicos.

Las principales actividades y objetivos que están proyectados en este laboratorio son:

• Caracterización y optimización de dispositivos nanoelectrónicos emergentes para los siguientes nodos tecnológicos enfocados a diseños de altas prestaciones y bajo consumo de potencia.
• Desarrollo de nuevas técnicas de caracterización eléctrica que permitan determinar las prestaciones de dispositivos nanométricos donde las técnicas convencionales no resultan válidas.
• Desarrollo y optimizan de la memoria hiperdensa A-RAM (tecnología propietaria de la UGR).
• Optimización de patrones de lectura y escritura para celdas de memoria emergentes 1T-DRAM.
• Caracterización de dispositivos electrónicos del nodo de 22nm UWB para aplicaciones biomédicas.
• Determinación de patrones de operación que optimicen la eficiencia energética en circuitos de muy alta Integración VLSI, desarrollo de una electrónica verde.
• Estudios estadísticos de variabilidad y tolerancia de las características eléctricas de dispositivos sobre oblea.